周宝霞
【姓名】 周宝霞
【职称】 讲师;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】 半导体器件的研究
【发表文献关键词】 全扩散,功率MOSFET,反向特性,MOS控制晶闸管,模拟制造,集成二极管,功率器件,绝缘栅,试制样品,PSPICE,晶闸管,原胞,阻断电压,金属－氧化物－半导体场效应晶体管,法制,扩散工艺,JFET...
【工作单位】 西安理工大学
【曾工作单位】 西安理工大学;
【所在地域】 西安
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[1]周宝霞,陈治明.具有双n~+发射区的MCT[J]西安理工大学学报.1999,(04)
[2]张发生，周如培，周宝霞，陈治明.用全扩散法制作MCT[J]半导体学报.1996,(09)
[3]周宝霞,陈治明,王守觉.功率MOSFET反向特性的分析模拟[J]半导体学报.1997,(01)
[4]周宝霞,陈治明,周如培.大功率复合器件的 PSPICE 模拟[J]电力电子技术.1997,(03)
[5]周如培,周宝霞,陈治明.新型功率器件MCT的模拟与制造[J]西安理工大学学报.1997,(01)
[6]周宝霞,陈治明,夏蔚.MCT特性的PSPICE模拟[J]西安理工大学学报.1997,(04)
[7]张国海,高勇,周宝霞.横向高压器件LDMOS与LIGBT的特性分析[J]半导体技术.1998,(06)
[8]周宝霞,陈治明.MCT最大可关断电流的解析分析[J]半导体学报.1998,(06)
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