曾峥
【姓名】 曾峥
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 锗硅合金,基区,异质结,非均匀掺杂,高频特性,重掺杂,模拟与分析,导带,参数模,价带,延迟时间,物理参数模型,有效质量,集电结,AlGaAs／GaAs,有效态密度,载流,发射区,子迁移率,带隙,复合电...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】
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[1]曾峥，吴文刚，罗晋生.基区非均匀掺杂对　AlGaAs／GaAs　HBT　电学特性影响的数值分析[J]半导体学报.1994,(12)
[2]林健，余明斌，曾峥，罗晋生.Si／SiGe　HBT高频特性的模拟与分析[J]固体电子学研究与进展.1994,(01)
[3]吴文刚，曾峥，罗晋生.应变致能带分裂对Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的影响[J]固体电子学研究与进展.1995,(02)
[4]曾峥，吴文刚，罗晋生.Al＿xGa＿（1－x）A＿s和GaA＿s材料的物理参数模型[J]电子器件.1995,(01)
[5]张万荣，曾峥，罗晋生.应变Si_（1－x）Ge_x层本征载流子浓度和有效态密度的温度特性分析[J]低温物理学报.1996,(04)
[6]张万荣，曾峥，罗晋生.Si／SiGe／Si双异质结晶体管异质结势垒效应（HBE）研究[J]电子学报.1996,(11)
[7]张万荣，曾峥，罗晋生.线性缓变SiGe　HBT低温基区滚越时间的研究[J]微电子学.1996,(03)
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