任巍
【姓名】 任巍
【职称】 教授;
【研究领域】 化学;无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】 铁电材料与器件
【发表文献关键词】 底电极,铁电薄膜,PLT薄膜,漏导电流,介电特性,形貌,I－V曲线,电滞回线,缺陷,电极,Pt薄膜,镧钛酸铅,漏电流,电畴,直流溅射,热处理工艺,瞬态电流,晶界,I-V特性,激光脉冲法,C－V特性,纵...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】 西安
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中国期刊全文数据库    共找到17篇
[1]叶伟;任巍;史鹏;.基片温度对基于Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7栅绝缘层的ZnO基TFT性能的影响[J]半导体光电.2016,(03)
[2]叶伟;任巍;史鹏;蒋庄德;.Effect of annealing temperature of Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7 gate insulator on performance of ZnO based thin film transistors[J]Journal of Semiconductors.2016,(07)
[3]闫兴伟;任巍;.高频无铅压电超声换能器研究进展[J]中国医疗器械信息.2014,(04)
[4]李正法;吴爽;池晓敏;司平占;葛洪良;任巍;魏晓勇;.K_(0.5)Nd_(0.5)TiO_3和K_(0.5)Sm_(0.5)TiO_3的合成与结构[J]稀有金属材料与工程.2013,(S2)
[5]阎鑫;任巍;.钛酸锶钡/铋锌铌多层复合薄膜的制备及性能[J]电子元件与材料.2011,(04)
[6]阎鑫;任巍;.金属有机盐热分解法制备铌酸钾钠无铅压电薄膜[J]电子元件与材料.2010,(10)
[7]李少康;吴小清;任巍;.铁电薄膜渐增式脉冲极化系统[J]西安工业大学学报.2007,(06)
[8]吴小清,任巍,姚熹.铅基铁电薄膜低温结晶和单层厚度提高及其性能研究[J]四川大学学报(自然科学版).2005,(S1)
[9]宋志棠,林成鲁,任巍,张良莹,姚熹.富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常[J]功能材料与器件学报.1999,(01)
[10]宋志棠,任巍,吴小清,张良莹,姚熹.热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt/Ti物相与形貌的影响[J]材料研究学报.1997,(04)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]宋志棠;任巍;张良莹;姚熹;.由Pb过量引起的空间电荷对PLT铁电薄膜电性能的影响[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
[2]吴小清;李波;任巍;姚熹;.热释电薄膜红外探测器的微图形化及其性能[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
[3]吴小清;任巍;姚熹;.复合热释电薄膜红外探测器的研究[A].2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会论文集.2007-07-01
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]任巍;.用于可调微波器件的含铋焦绿石薄膜的研究[A].西安交通大学;.项目经费 26万元.2005-03-31.资助文献数 0 篇
[2]任巍;.铌酸钾钠基无铅压电薄膜的关键问题的基础研究[A].西安交通大学;.项目经费 38万元.2008-03-20.资助文献数 0 篇
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