耿东生
【姓名】 耿东生
【职称】 副教授;
【研究领域】 金属学及金属工艺;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】 薄膜科学与技术的研究
【发表文献关键词】 增透保护膜系,膜系结构,模拟,ZnS头罩,膜系设计,非均匀膜,红外光学性能,GaP薄膜,厚度均匀性,射频磁控溅射,红外,头罩,碳化锗薄膜,膜厚分布,膜系制备,谱曲线,靶面,增透,溅射,光谱曲线,透射光...
【工作单位】 西北工业大学
【曾工作单位】 西北工业大学;
【所在地域】 陕西西安
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[1]耿东生;谢利卿;李烈风;.纯铝变形的位错组态及其微观参数测定[J]理化检验.物理分册.1990,(02)
[2]耿东生;高山;严芳;.立方晶系孪晶电子衍射谱的微机程序[J]理化检验.物理分册.1990,(06)
[3]李阳平,刘正堂,耿东生.靶材溅射及溅射原子输运的计算机模拟[J]功能材料.2003,(05)
[4]李阳平,刘正堂,耿东生.射频磁控溅射中离子输运的计算机模拟[J]真空科学与技术.2003,(03)
[5]宋建全,刘正堂,于忠奇,耿东生,郑修麟.磁控反应溅射制备Ge_xC_(1-x)薄膜的特殊性分析[J]材料工程.2000,(10)
[6]宋建全,刘正堂,于忠奇,耿东生,郑修麟.Ge_xC_(1-x)薄膜在红外增透保护膜系设计和制备中的应用[J]红外与毫米波学报.2000,(04)
[7]刘正堂,耿东生,宋建全,朱景芝,郑修麟.磁控反应溅射制备Ge_xC_(1-x)薄膜的结构[J]金属热处理学报.2000,(02)
[8]宋建全,刘正堂,郭大刚,耿东生,郑修麟.GaP薄膜的制备与性能研究[J]材料工程.2001,(10)
[9]宋建全,刘正堂,耿东生,郑修麟.红外增透保护膜系软件设计及应用[J]红外技术.2001,(02)
[10]宋建全,刘正堂,于忠奇,耿东生,郑修麟.ZnS头罩增透保护膜系制备[J]红外与毫米波学报.2001,(03)
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[1]刘正堂;宋建全;朱景芝;耿东生;郑修鳞;.磁控反应溅射Ge_xC_(1-x)薄膜的光学性能[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
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