淮永进
【姓名】 淮永进
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 场致发射,硅锥,硅锥阴极,金属涂,平板显示器,阴极,各向同性腐蚀,各向异性腐蚀,溅射,阴极阵列,聚酸,两步法,尖锥,阳极支柱,制作工艺,栅孔,胶膜,栅阴,电镀法,阵列,真空微电子,能谱图,曲率半径,亚...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】 西安
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[1]朱长纯,淮永进,李毓民.两步法腐蚀硅锥阴极阵列的工艺研究[J]真空科学与技术.1994,(06)
[2]淮永进，朱长纯，吴春瑜，李毓民.金属涂敷硅锥阴极的工艺研究[J]电子器件.1994,(03)
[3]皇甫鲁江,朱长纯,淮永进,宋利建.FED制作工艺研究[J]光电子技术.1996,(02)
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