何益新
【姓名】 何益新
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子敏感,半导体器件,铬离子,绝缘膜,沟道耗尽型,西安交通大学,聚乙烯塑料管,平面工艺,测试电路,灌封,响应时间,PVC膜,溅射,季铵盐,重铬酸钾水溶液,参比电极,溶液浓度,活性物质,氢离子,配备标准,
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】
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[1]方培生,黄强,何益新,崔吾元,丰达明.铬[Vl]离子敏感半导体器件的研究[J]传感器技术.1987,(Z1)
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