杨安
【姓名】 杨安
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 源极跟随器,缓冲电路,CMOS,薄膜,电容存储,CMOS集成电路,运算放大器,纳米,碳化硅,ECRCVD法,电荷传输,光致发光,碳化硅薄膜,单元电路,低功耗,缓冲,英文,静态功耗,强光,西安,高精度,...
【工作单位】 西安理工大学
【曾工作单位】 西安理工大学;
【所在地域】 西安
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[1]余宁梅,杨安,陈治明,高勇.CMOS源极跟随缓冲电路[J]半导体学报.2001,(04)
[2]余宁梅,杨安,高勇,陈治明.新型高精度低功耗电荷传输型匹配单元电路(英文)[J]半导体学报.2002,(03)
[3]余明斌,杨安,余宁梅,马剑平.用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射[J]半导体学报.2002,(03)
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