高玉民
【姓名】 高玉民
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 半导体器件原理和半导体器件物理的教学工作以及新型功率半导体器件
【发表文献关键词】 内场限环,器件物理方程,平面结终端技术,场限环,雪崩电离,数值技术,终端结构,平面结终端,LDMOST,功率器件,MOS晶体管,环间距,击穿电压,结终端,高压集成电路,数值方法,结终端技术,功率电子,...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】 西安
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[1]高玉民,单建安,许曙明.自保护MOS栅晶闸管[J]电子学报.2000,(11)
[2]高玉民.非对称型IGBT击穿电压的数值分析[J]电力电子技术.1994,(01)
[3]高玉民.晶体管击穿电压的数值分析[J]西安理工大学学报.1994,(03)
[4]孙向阳，高玉民，罗晋生.IGBT闩锁现象的解析模拟[J]微电子学与计算机.1995,(06)
[5]高玉民.非对称晶闸管的阻断电压[J]西安理工大学学报.1995,(01)
[6]弓小武,高玉民,罗晋生.浅结高压器件终端场分析与实验[J]电力电子技术.1996,(02)
[7]弓小武，高玉民，罗晋生.IGBT和VDMOS解析模型和模拟[J]电力电子技术.1996,(03)
[8]弓小武，高玉民，罗晋生.MOS型新型功率器件终端场分析与实验[J]固体电子学研究与进展.1996,(02)
[9]高玉民.穿通型pn结二极管的击穿电压[J]西安交通大学学报.1996,(10)
[10]唐本奇,高玉民,罗晋生.横向功率器件及其结终端保护技术[J]电力电子技术.1997,(03)
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