张德胜
【姓名】 张德胜
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 迁移率,沟道,少子产生寿命,载流子,非均匀掺杂,MOS电容,产生寿命,热载流子,少子寿命,非均匀掺杂衬底,温度漂移,MOS结构,基区,空间分布,栅压,热载流子注入,表面电流,温度漂移系数,离子注入,界...
【工作单位】 西北电讯工程学院
【曾工作单位】 西北电讯工程学院;
【所在地域】 西安
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[1]顾瑛,张德胜,张民强.沟道载流子有效迁移率温度漂移的研究[J]半导体技术.1988,(01)
[2]黄庆安,史保华,顾英,张德胜.非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量[J]半导体学报.1989,(07)
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