戴琨
【姓名】 戴琨
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 热丝化学气相沉积法,场发射,金刚石薄膜,等离子化学气相沉积技术,薄膜,纳米硅薄膜,nc-Si,SiC薄膜,特性分析,压阻效应,CVD技术,冷阴极,碳化硅,热丝,硅薄膜,膜的制备,结构分析,碳化硅薄膜,...
【工作单位】 西北大学
【曾工作单位】 西北大学;
【所在地域】 西安
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[1]赵武,王雪文,邓周虎,张志勇,戴琨.碳化硅薄膜及压阻效应研究[J]电子元件与材料.2003,(08)
[2]赵武,张志勇,王雪文,邓周虎,戴琨.低温异质生长SiC薄膜预处理工艺研究[J]电子元件与材料.2003,(12)
[3]赵武,王雪文,张志勇,邓周虎,戴琨.低温生长SiC薄膜衬底碳化研究[J]电子元件与材料.2004,(03)
[4]赵武,张志勇,吴铁柱,王雪文,邓周虎,戴琨.SiC薄膜的制备及其对气氛的响应研究[J]电子元件与材料.2005,(09)
[5]张志勇,王雪文,赵武,阎军峰,戴琨.nc-Si∶H薄膜的制备及特性表征[J]西北大学学报(自然科学版).2002,(05)
[6]张志勇,王雪文,赵武,戴琨,陈治明.用热丝CVD技术制备场发射冷阴极金刚石薄膜(英文)[J]光子学报.2002,(04)
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