赵祖军
【姓名】 赵祖军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 能带阶跃,二维电子气密度,HEMT,Si/Si1-xGex HEMT,半导体异质结,晶格匹配,2DEG,结构设计,沟道,结层,二维电子,异质,气密度,间隔层,异质结结构,载流,异质结,能带图,费米能级...
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 陕西西安
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[1]胡英,周晓华,徐毓龙,赵祖军.Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT异质结层的结构与二维电子气密度的关系[J]半导体情报.2001,(02)
[2]胡英,周晓华,徐毓龙,赵祖军.Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT结构设计的研究[J]功能材料与器件学报.2001,(02)
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