学者知网节

【姓名】	宣荣喜
【职称】	高级工程师;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】	跟随控制算法,阈值学习,供热网,绝缘体上硅,智能剥离技术,低温直接键合,算法与实现,环境温度变化,Si-SiGe,三维,CMOS,集成电路,计算机控制系统,主监控系统,键合强度,实现算法,表面粗糙度,...
【工作单位】	西安电子科技大学
【曾工作单位】	西安电子科技大学;
【所在地域】	西安

中国期刊全文数据库 共找到40篇

[2]苗渊浩;胡辉勇;李鑫;宋建军;宣荣喜;张鹤鸣;.Evaluation of threading dislocation density of strained Ge epitaxial layer by high resolution x-ray diffraction[J]Chinese Physics B.2017,(12)

[3]康海燕;胡辉勇;王斌;宣荣喜;宋建军;赵晨栋;许小仓;.Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管固态等离子体解析模型[J]物理学报.2015,(23)

[5]刘翔宇;胡辉勇;张鹤鸣;宣荣喜;宋建军;舒斌;王斌;王萌;.具有poly-Si_(1-x)Ge_x栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究[J]物理学报.2014,(23)

[6]白敏;宣荣喜;宋建军;张鹤鸣;胡辉勇;舒斌;.直接带隙Ge_(1-x)Sn_x本征载流子浓度研究[J]物理学报.2014,(23)

[7]白敏;宣荣喜;宋建军;张鹤鸣;胡辉勇;舒斌;.压应变Ge/(001)Si_(1-x)Ge_x空穴散射与迁移率模型[J]物理学报.2015,(03)

[8]陈景明;舒斌;吴继宝;范林西;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜;宋建军;.Enhanced electroluminescence from a free-standing tensilely strained germanium nanomembrane light-emitting diode[J]Journal of Semiconductors.2015,(10)

[9]宋建军;杨超;朱贺;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇;舒斌;.SOI SiGe HBT结构设计及频率特性研究[J]物理学报.2014,(11)

[10]赵丽霞;张鹤鸣;戴显英;宣荣喜;.应变Si/(101)Si_xGe_(1-x)空穴迁移率[J]西安电子科技大学学报.2013,(03)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]张志锋;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜;宋建军;.应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
0/131	31	36	2	308	6656