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吴建伟
【姓名】
吴建伟
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
硅锗异质结双极晶体管,自对准工艺,侧墙,悬梁,自对准结构,特征频率,模拟研究,结构参数,电流放大系数,频率特性,自对准技术,放大倍数,寄生效应,二维器件模拟,放大特性,器件工艺,结面积,寄生电容,参数...
【工作单位】
西安电子科技大学
【曾工作单位】
西安电子科技大学;
【所在地域】
陕西西安
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
0
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2
1
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243
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到1篇
[1]黄大鹏,戴显英,张鹤鸣,王伟,吴建伟,胡辉勇,张静,刘道广.
SiGe HBT超自对准结构模拟研究
[J]微电子学.2005,(04)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库
共找到1篇
[1]吴建伟.
Si_(1-x)Ge_xMOSFETs模拟技术研究
[D].西安电子科技大学.2005
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
冯国进
北京大学
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阚文良
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(学者,学者单位,篇数)
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1
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1
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