王冲
【姓名】 王冲
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】 图像超分辨率重建算法研究
【发表文献关键词】 感应耦合等离子体,刻蚀速率,选择性刻蚀,选择比,刻蚀损伤,高电子迁移率晶体管,AlGaN/GaN,热电子,电子陷阱,高场应力,应变弛豫度,自偏压,肖特基二极管,紫外光辐照,氮化镓,表面势垒减薄模型,热...
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 西安
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/94 23 47 26 243 11083
中国期刊全文数据库    共找到54篇
[1]丁小龙;王冲;杜嘉鑫;黄永;.GaN MIS-HEMT的PBTI效应研究[J]固体电子学研究与进展.2025,(06)
[2]杜嘉鑫;王冲;丁小龙;陈财;黄永;.碳掺杂对GaN MIS-HEMT热阻的调控机制研究[J]固体电子学研究与进展.2025,(06)
[3]王冲;刘凯;.集成电路卓越工程师人才培养的几点思考[J]教育教学论坛.2026,(04)
[4]牛雪锐;侯斌;张濛;杨凌;武玫;张新创;贾富春;王冲;马晓华;郝跃;.Novel GaN-based double-channel p-heterostructure field-effect transistors with a p-GaN insertion layer[J]Chinese Physics B.2023,(10)
[5]何云龙;张方;刘凯;洪悦华;郑雪峰;王冲;马晓华;郝跃;.Simulation design of normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with p-GaN Schottky hybrid gate[J]Chinese Physics B.2022,(06)
[6]赵垚澎;王冲;郑雪峰;马晓华;刘凯;李昂;何云龙;郝跃;.Comparative study on characteristics of Si-based AlGaN/GaN recessed MIS-HEMTs with HfO_2 and Al_2O_3 gate insulators[J]Chinese Physics B.2020,(08)
[7]杨翠;彭国良;毛维;郑雪峰;王冲;张进成;郝跃;.Novel CMOS image sensor pixel to improve charge transfer speed and efficiency by overlapping gate and temporary storage diffusing node[J]Chinese Physics B.2021,(01)
[8]赵垚澎;王冲;郑雪峰;马晓华;李昂;刘凯;何云龙;陆小力;郝跃;.Ferroelectric effect and equivalent polarization charge model of PbZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3 on AlGaN/GaN MIS-HEMT[J]Chinese Physics B.2021,(05)
[9]何元浩;毛维;杜鸣;彭紫玲;王海永;郑雪峰;王冲;张进成;郝跃;.Vertical polarization-induced doping InN/InGaN heterojunction tunnel FET with hetero T-shaped gate[J]Chinese Physics B.2021,(05)
[10]王冲;尚晓清;.基于多字典的单幅图像超分辨率重建[J]计算机工程与应用.2019,(05)
更多
中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到6篇
[1]王冲.基于时—空卷积神经网络的RSVP目标检测[D].西安电子科技大学.2022
[2]王冲.图像超分辨率重建的研究[D].西安电子科技大学.2018
[3]王冲.基于Es层的超视距突发通信技术研究[D].西安电子科技大学.2016
[4]王冲.一种新的实现∑-△调制小数分频方案的研究[D].西安电子科技大学.2008
[5]王冲.基于融合技术的遥感图像融合方法研究[D].西安电子科技大学.2009
[6]王冲.计算机电话集成技术及其服务器的原理和实现[D].西安电子科技大学.2005
更多