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【姓名】	尚也淳
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;
【研究方向】	SiC材料和器件的辐照特性研究
【发表文献关键词】	JFET,SiCJFET,中子辐照,辐照响应,输出特性,中子注量,6H-SiC,辐照,载流,迁移率,沟道,n型,电子浓度,去除率,模拟值,模拟结果,漏极电流,器件参数,辐照前,C材料,
【工作单位】	西安电子科技大学
【曾工作单位】	西安电子科技大学;
【所在地域】	西安

中国期刊全文数据库 共找到11篇

[1]尚也淳,张义门,张玉明.电子辐照下的SiC少子寿命退化模型[J]半导体学报.2000,(02)

[2]尚也淳,张义门,张玉明.中子辐照下的6H-SiCpn结电特性分析[J]半导体学报.2000,(07)

[3]尚也淳,张义门,张玉明.6H-SiC JFET输出特性及其中子辐照模型[J]核电子学与探测技术.2000,(06)

[4]尚也淳,张义门,张玉明.6H-SiC电子输运的Monte Carlo模拟[J]物理学报.2000,(09)

[5]尚也淳,张义门,张玉明.杂质不完全离化对SiCMOSFET的影响[J]半导体学报.2001,(07)

[6]尚也淳,张义门,张玉明.6H-SiC反型层电子迁移率的Monte Carlo模拟[J]电子学报.2001,(02)

[7]尚也淳,张义门,张玉明.SiC/SiO_2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究[J]物理学报.2001,(07)

[8]尚也淳,张义门,张玉明.6H-SiC反型层电子库仑散射[J]西安电子科技大学学报.2001,(02)

[9]尚也淳,张义门,张玉明.SiC MOS结构空间电荷区杂质离化的研究[J]西安电子科技大学学报.2001,(05)

[10]尚也淳,张义门,张玉明.6H-SiC JFET的高温特性[J]电子与信息学报.2001,(02)

中国博士学位论文全文数据库 共找到1篇

[1]尚也淳.SiC材料和器件特性及其辐照效应的研究[D].西安电子科技大学.2001

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