学者知网节

【姓名】	贾护军
【职称】	副教授;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】	高温半导体材料与器件研究
【发表文献关键词】	小信号参数,6HSiC,界面态电荷,半导体场效应晶体管,解析模型,碳化硅,电子输运特性,Monte,杂质散射,电子漂移速度,Carlo法,功率器件,界面态密度,复合栅介质,电子迁移率,金属氧化物,刻蚀...
【工作单位】	西安电子科技大学
【曾工作单位】	西安电子科技大学;
【所在地域】	西安

中国期刊全文数据库 共找到32篇

[1]徐永康;贾护军;.对倒格子第一布里渊区的些许思考[J]大学物理.2019,(04)

[2]王志燕;贾护军;毛周;李泳锦;成涛;裴晓延;孙哲霖;.1.55μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计[J]半导体光电.2014,(01)

[5]宋坤;柴常春;杨银堂;贾护军;陈斌;马振洋;.改进型异质栅对深亚微米栅长碳化硅MESFET特性影响[J]物理学报.2012,(17)

[6]贾护军;杨银堂;李跃进;.多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征[J]西安电子科技大学学报.2009,(02)

[7]贾护军;杨银堂;柴常春;李跃进;.SiC材料的低速率浅刻蚀工艺研究[J]真空科学与技术学报.2009,(04)

[8]杨银堂;耿振海;段宝兴;贾护军;余涔;任丽丽;.具有部分超结的新型SiC SBD特性分析[J]物理学报.2010,(01)

[9]贾护军;杨银堂;柴常春;李跃进;.表面预处理对SiO_2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响(英文)[J]人工晶体学报.2006,(03)

[10]贾护军;杨银堂;柴常春;李跃进;.4H-SiC在Cl_2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究[J]真空科学与技术学报.2006,(06)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]朱作云;李跃进;杨银堂;柴常春;贾护军;韩小亮;王文襄;刘秀娥;王麦广;.SiC薄膜高温压力传感器[A].2000全国力学量传感器及测试、计量学术交流会论文集.2000-07-01

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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