学者知网节

【姓名】	胡辉勇
【职称】	副教授;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】	高速半导体器件及集成电路设计
【发表文献关键词】	UHV/CVD,化学气相淀积,超高真空,硅锗异质结双极晶体管,自对准工艺,侧墙,悬梁,紫外,自对准结构,SiGepnpHBT,Ge分布,电流增益β,特征频率fT,特征频率,杂质外扩,Si-SiGe,三...
【工作单位】	西安电子科技大学
【曾工作单位】	西安电子科技大学;
【所在地域】	西安

中国期刊全文数据库 共找到122篇

[1]张键;胡辉勇;周远杰;何峥嵘;.一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器[J]固体电子学研究与进展.2023,(06)

[2]王晓利;李婉;舒斌;胡辉勇;.GeSn红外光探测器性能参数模拟研究[J]宝鸡文理学院学报(自然科学版).2022,(04)

[4]王斌;史鑫龙;张云峰;陈伊;胡辉勇;王利明;.Device physics and design of FD-SOI JLFET with step-gate-oxide structure to suppress GIDL effect[J]Chinese Physics B.2021,(04)

[5]韩钊;张蓓;张峻铭;苑西西;张宁宁;孙浩;王利明;胡辉勇;.偏振敏感双机制增强近红外GeSn等离型光电探测器设计（特邀）（英文）[J]光子学报.2021,(10)

[7]苗渊浩;胡辉勇;李鑫;宋建军;宣荣喜;张鹤鸣;.Evaluation of threading dislocation density of strained Ge epitaxial layer by high resolution x-ray diffraction[J]Chinese Physics B.2017,(12)

[8]陈航宇;宋建军;张洁;胡辉勇;张鹤鸣;.小尺寸单轴应变Si PMOS沟道晶面/晶向选择实验新发现[J]物理学报.2018,(06)

[10]郝敏如;胡辉勇;廖晨光;王斌;赵小红;康海燕;苏汉;张鹤鸣;.γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响[J]物理学报.2017,(07)

中国博士学位论文全文数据库 共找到1篇

[1]胡辉勇.微波功率SiGe HBT关键技术研究[D].西安电子科技大学.2006

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]张志锋;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜;宋建军;.应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

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