张少云
【姓名】 张少云
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;有机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电场限制环,电力半导体器件,界面电荷,界面电荷密度,伏安特性/pn结,优化设计,耗尽区,平面型,场限环,整流元件/体特性,环电位,耐压,肖特基结,电力电子器件,电荷,硅器件,压焊,电流电压特性,设计...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】 西安
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[1]徐传骧,董小兵,张少云.体特性高压硅整流元件设计制造的关键技术[J]电力电子技术.2003,(01)
[2]董小兵,张少云,徐传骧.斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测[J]西安交通大学学报.2004,(06)
[3]叶俊龙,梁建锋,张少云,简亚平.压焊方式对肖特基器件通态压降的影响[J]电力电子技术.2004,(05)
[4]董小兵,张少云,马小芹,徐传骧,王西英.肖特基二极管伏安特性与导通压降相关性研究[J]电力电子技术.1999,(06)
[5]张少云，范明海，徐传骧.一种测量平面型硅器件界面电荷密度的新方法[J]电力电子技术.1995,(03)
[6]张峰，张少云，徐传骧.硅整流管表面保护材料负电晕带电特性的研究[J]电力电子技术.1996,(04)
[7]张少云,何润林,徐传骧.平面型电力电子器件场环终端的优化设计与试验研究[J]西安交通大学学报.1996,(10)
[8]冯玉柱;张少云;徐传骧;.红外光谱分析在高压硅器件表面保护材料固化工艺研究中的应用[J]绝缘材料通讯.1989,(05)
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