崔晓英
【姓名】 崔晓英
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 UHV/CVD,化学气相淀积,超高真空,紫外,杂质外扩,淀积技术,二次离子,Si衬底,X射线分析,质谱分析,气相,光化学,结果表明,结晶,高质量,半导体材料与器件,宽禁带,微电,西安电子科技大学,重点...
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 西安
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[1]胡辉勇;崔晓英;张鹤鸣;宋建军;戴显英;宣荣喜;.应变Si PMOSFET电流特性研究[J]电子器件.2010,(04)
[2]胡辉勇;张鹤鸣;戴显英;宣荣喜;崔晓英;王青;姜涛;.SiGe HBT传输电流模型研究[J]半导体学报.2006,(06)
[3]胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,朱永刚,王顺祥,王伟,崔晓英,王青,王喜媛.SiGe HBT发射极延迟时间模型[J]半导体学报.2005,(07)
[4]胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,李开成,王伟,朱永刚,王顺祥,崔晓英,王喜媛.UV/UHV/CVD生长应变Si_(1-x)Ge_x层(英文)[J]半导体学报.2005,(04)
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