张秀澹
【姓名】 张秀澹
【职称】
【研究领域】 电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 IGBT,MOSFET,发展概况,逆变器,门极,发射极,饱和电压,通态电压,集电极,IGBT逆变器,等效电路,IGBT模块,沟道,凹区,门选通,S系列,半控桥,芯片,PWM逆变器,晶闸管,
【工作单位】 西安电力电子技术研究所
【曾工作单位】 西安电力电子技术研究所;
【所在地域】
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[1]张秀澹.IGBT及其应用的发展概况[J]半导体技术.1990,(03)
[2]张秀澹.90年代的电力半导体器件[J]电工技术杂志.1990,(05)
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