王正鸣
【姓名】 王正鸣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 电力半导体器件
【发表文献关键词】 正向压降,晶闸管,结终端,电力晶体管,计算机模拟,击穿电压,耐压,负斜角,体特性,正向,负角,终端,电流增益,基区宽度,饱和压降,达林顿,电力半导体器件,空间电荷区,大功率晶闸管,关断时间,阻断状态,...
【工作单位】 西安电力电子技术研究所
【曾工作单位】 西安电力电子技术研究所;
【所在地域】 西安
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中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]王正鸣;陈黄鹂;.最新特高压晶闸管[J]电力电子技术.2016,(08)
[2]王正鸣;陆剑秋;.集成触发保护UHVDC光控晶闸管[J]电力电子技术.2009,(09)
[3]王正鸣;陆剑秋;.最佳结构6英寸UHVDC晶闸管[J]电力电子技术.2008,(12)
[4]王正鸣.负斜角晶闸管正向耐压体特性设计[J]电力电子技术.1996,(01)
[5]王正鸣,李建华,王彩琳,刘东莉.100A/1200V 方片 GTR 的研制[J]电力电子技术.1997,(04)
[6]陈治明,赵旭东,高勇,王正鸣.6000伏晶闸管正向压降的计算机模拟[J]半导体学报.1990,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]张昌利;金银东;金相哲;宋根浩;金南均;王正鸣;陆剑秋;张建平;李建华;朱佳政;杨丙凡;胡选文;.质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[2]王正鸣;陆剑秋;.最佳结构6英寸UHVDC晶闸管[A].2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集.2008-11-01
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