吴春瑜
【姓名】 吴春瑜
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 场致发射,硅锥阴极,场发射阴极,金属涂,集成门极换向型晶闸管,透明阳极,阴极,金属栅,栅极,硅锥,自对准,削尖,溅射,SiC,腐蚀,SiC埋层,功率半导体,离子束合成,能量损失谱,门极换向晶闸管,隔离...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】 陕西西安
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[1]吴春瑜;朱长纯;王颖;朱传森;.缓冲层与透明阳极结构对GCT通态特性的影响[J]电子器件.2006,(04)
[2]王颖,朱长纯,吴春瑜,白继彬.门极换向晶闸管的纵向结构研究[J]西安交通大学学报.2003,(08)
[3]王颖,朱长纯,吴春瑜,刘兴辉.门极换向晶闸管阳极透过率的优化设计[J]西安交通大学学报.2004,(02)
[4]朱长纯,吴春瑜,王颖,刘兴辉,尹常永.集成门极换流晶闸管驱动电路的研究[J]西安交通大学学报.2005,(08)
[5]姚振华,朱长纯,刘伟,吴春瑜,杨大江,白继彬,张昌利.集成门极换向型晶闸管透明阳极的数值模拟[J]西安交通大学学报.2001,(08)
[6]吴春瑜,沈桂芬,王颖,朱长纯,李玉魁,白纪彬.SiC埋层的制备与性质研究[J]功能材料与器件学报.2002,(01)
[7]朱长纯，淮永健，吴春瑜，李毓民.氧化－削尖自对准多层金属栅的工艺研究[J]电子器件.1994,(03)
[8]淮永进，朱长纯，吴春瑜，李毓民.金属涂敷硅锥阴极的工艺研究[J]电子器件.1994,(03)
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