赵嵩山
【姓名】 赵嵩山
【职称】 工程师;
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InGaAsP/InP,异质结激光器,双沟,H激光器,单纵模激光器,掩埋异质结,低温液相外延,有源区,激光器,高速调制,分布反馈,光功率输出,抑制比,武汉邮电科学研究院,光栅,加速老化,寿命研究,动态...
【工作单位】 武汉邮电科学研究院
【曾工作单位】 武汉邮电科学研究院;
【所在地域】
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[1]赵嵩山,王德超,吴友宇,王玉章.1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器[J]半导体学报.1986,(03)
[2]赵嵩山,李洵,许桂珍.1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH激光器的寿命研究[J]通信学报.1987,(04)
[3]李洵,简水生,赵嵩山,周宁.1.52微米InGaAsP/InP双有源区双沟道平面掩埋异质结动态单纵模激光器[J]半导体学报.1987,(05)
[4]赵嵩山,马磐,周宁,杨新敏,董志江.1.55μm GaInAsP/InP DFB-DC-PBH激光器[J]半导体学报.1989,(09)
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