金锦炎
【姓名】 金锦炎
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 AlGaInAs,应变多量子阱,应变补偿,高功率,低压金属有机化学气相外延,应变补偿量子阱,应变量子阱,无致冷,金属有机化学气相沉积,二次离子质谱仪,DFB激光器,应变量子阱材料,量子阱,MOVPE,...
【工作单位】 武汉邮电科学研究院
【曾工作单位】 武汉邮电科学研究院;
【所在地域】 湖北武汉
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[1]马宏,金锦炎,江斌,赵修建.MOVPE生成AlGaInAs/InP应变量子阱材料研究[J]武汉理工大学学报.2001,(02)
[2]马宏,易新建,金锦炎,杨新民,李同宁.1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计与制作[J]光子学报.2002,(02)
[3]马宏,易新建,金锦炎,杨新民,李同宁.MOVPE生长1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究[J]中国激光.2002,(03)
[4]杨新民,李同宁,刘涛,周宁,金锦炎,李晓良.高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器[J]光通信研究.1999,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]金锦炎;刘涛;.高性能无致冷1.3μm AlGalnAs应变量子阱激光器[A].全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议（OFCIO’2001）论文集.2001-10-01
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