刘梦新
【姓名】 刘梦新
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】 半导体SOI技术的研究
【发表文献关键词】 阈值,单元电路,高温特性,埋层结构,自加热效应,电路,英文,SOI,高精度,绝缘体上的硅,介电常数,西安,单管,SOI器件,全耗尽,高温环境实验,动态监控,集成电路,总线控制器,激光测距,等效电容,工...
【工作单位】 西安理工大学
【曾工作单位】 西安理工大学;
【所在地域】 西安
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[1]张新;刘梦新;高勇;洪德杰;王彩琳;邢昆山;.基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究[J]电子器件.2006,(02)
[2]刘梦新;高勇;张新;王彩琳;杨媛;.薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化[J]半导体学报.2006,(06)
[3]张新;高勇;刘梦新;安涛;王彩琳;邢昆山;.实现高温工作的SOI器件埋层结构研究[J]兵器材料科学与工程.2006,(05)
[4]高勇;张新;刘梦新;安涛;王彩琳;邢昆山;.基于等效电容法对SOI器件自加热效应研究[J]固体电子学研究与进展.2006,(04)
[5]高勇;张新;刘梦新;安涛;刘善喜;马立国;.一种高温工作的激光测距SOICMOS集成电路(英文)[J]半导体学报.2007,(02)
[6]张新;王峙卫;高勇;安涛;刘梦新;.SOI器件高温环境实验智能控制系统[J]仪器仪表学报.2007,(03)
[7]杨媛,高勇,余宁梅,刘梦新.一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路(英文)[J]半导体学报.2004,(09)
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