刘广均
【姓名】 刘广均
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SiC薄膜,I～V特性,场致发射,多晶,拟合,英文,机理研究,西安,电子发射过程,APCVD,SiCP,p型掺杂,真空微电子,压指,电信学,电子传递,博士点基金,n型,碳化硅,金刚石,
【工作单位】 西安理工大学
【曾工作单位】 西安理工大学;
【所在地域】 西安
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[1]李德昌,杨银堂,刘广均,朱长纯.平面SiC薄膜场致发射的机理研究(英文)[J]人工晶体学报.2000,(03)
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