范永平
【姓名】 范永平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 瞬态退火,DLTS,深能级缺陷,红外,离子注入,热退火,杂质浓度分布,退火过程,深能级,金属氮化物,MOS结构,浅结,辐照,快速退火,卤钨灯,DLTS谱,红外辐照,固相外延,离子注,肖特基结,激活率,...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】
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[1]范永平,罗晋生.硅中离子注入层退火后残留深能级缺陷的DLTS研究[J]固体电子学研究与进展.1986,(04)
[2]范永平,罗晋生,周彩弟.硅中离子注入层的红外瞬态退火及退火后残留深能级缺陷的DLTS研究[J]半导体学报.1986,(05)
[3]范永平,罗晋生.硅中离子注入层的红外瞬态退火及其浅结的制备[J]半导体技术.1987,(02)
[4]范永平,罗晋生,邹望杰.硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究[J]西安交通大学学报.1987,(03)
[5]范永平,罗晋生.红外辐照退火砷离子注入硅的后热处理特性研究[J]半导体技术.1988,(06)
[6]范永平,罗晋生.瞬态退火过程中离子注入层杂质浓度分布的计算[J]固体电子学研究与进展.1988,(01)
[7]刘放,罗晋生,范永平.GaAs离子注入Si的快速热退火[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[8]范永平,罗晋生.硅中硼离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究[J]微电子学.1988,(02)
[9]范永平.反应溅射法制备耐熔金属氮化物/GaAs肖特基结[J]微电子学.1988,(03)
[10]罗晋生,范永平,马秋呜.用椭偏光法研究离子注入层的红外辐照再结晶机理[J]固体电子学研究与进展.1989,(03)
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