周彩弟
【姓名】 周彩弟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 光学常数,瞬态退火,多入射角,离子注入,椭圆仪,加速电压,阳极氧化,复折射率,无杂质,深能级缺陷,DLTS,红外,电子束流,热退火,工艺条件,入射角,半导体加工,椭园,退火过程,砷化镓单晶,消光系数,...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/6 0 0 1 6 155
中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]罗晋生,周彩弟.椭圆仪多入射角法研究半导体离子注入层光学常数[J]半导体技术.1979,(Z1)
[2]罗晋生,陈敏麒,周彩弟.椭偏光法研究离子注入层(二) 椭偏光法研究硅中离子注入层的损伤分布、增强腐蚀效应和热退火过程[J]西安交通大学学报.1981,(03)
[3]周彩弟,罗晋生,朱秉升.Al_2O_3膜的离子注入增强腐蚀效应研究[J]西安交通大学学报.1983,(04)
[4]范永平,罗晋生,周彩弟.硅中离子注入层的红外瞬态退火及退火后残留深能级缺陷的DLTS研究[J]半导体学报.1986,(05)
[5]周世禄,朱秉升,周彩弟,罗晋生.磷离子注入硅的 CWCO_2激光退火的研究[J]西安交通大学学报.1987,(01)
[6]唐敦乙,周彩弟,沈伯礼.用于半导体加工的电子帘技术[J]真空科学与技术.1988,(04)
更多