崔吾元
【姓名】 崔吾元
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电场传感器,离子敏感,电场,敏感器件,半导体器件,ISFET,栅绝缘层,健合,外电场,铬离子,热氮化,源电压,pH响应,研究,MOSFET,外加电场,表面基,超突变结,绝缘栅,硅直接键合,电阻-温度特...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】 陕西西安
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[7]张屏英,崔吾元,朱广良.半导体电场敏感器件和电场传感器[J]半导体技术.1987,(04)
[8]方培生,黄强,何益新,崔吾元,丰达明.铬[Vl]离子敏感半导体器件的研究[J]传感器技术.1987,(Z1)
[9]齐呜,罗晋生,崔吾元,黄强.热氮化SiO_2绝缘栅H~+-ISFET及其pH响应机理的探讨[J]半导体技术.1989,(01)
[10]林长贵,崔吾元,罗晋生.硅/硅直接键合制备p~+/n~-和n~-/n~-结构[J]微电子学.1992,(05)
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[1]贺永宁;张雯;崔吾元;崔万照;王东;朱长纯;侯洵;.ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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