陈敏麒
【姓名】 陈敏麒
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MESFET,热退火,剥层,椭偏法,非晶层,多入射角椭偏测量,薄膜参数,短沟道,离子注,漂移扩散模型,固相外延,Schr(?)dinger方程,阱宽,检偏器,多入射角,多层薄膜,速度过冲,平均速率,椭...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】 西安
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[1]陈敏麒,罗晋生.用非均匀吸收层椭偏参数计算法求离子注入层的损伤分布(文摘)[J]西安交通大学学报.1981,(01)
[2]陈敏麒,罗晋生.椭偏光法研究离子注入层(一) 非均匀吸收膜椭偏光参数的计算及其在求离子注入层复折射率分布中的应用[J]西安交通大学学报.1981,(02)
[3]罗晋生,陈敏麒,周彩弟.椭偏光法研究离子注入层(二) 椭偏光法研究硅中离子注入层的损伤分布、增强腐蚀效应和热退火过程[J]西安交通大学学报.1981,(03)
[4]陈敏麒,张宏,罗晋生.剥层椭偏法对As~+注入Si热退火过程的进一步研究[J]半导体学报.1983,(05)
[5]曲果力;陈敏麒;罗晋生;.单板机用于TSC测量中的线性温控[J]山东工业大学学报.1986,(02)
[6]罗晋生,陈敏麒,朱惠贤,张瑞智.激光自动椭偏仪及其应用[J]西安交通大学学报.1987,(03)
[7]王仲,陈敏麒,罗晋生.短沟道GaAs MESFET的二维稳态数值分析[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[8]张瑞智,罗晋生,陈敏麒.双层光学薄膜参数的多入射角椭偏分析方法[J]光学学报.1989,(01)
[9]李同合,陈敏麒,罗晋生.自动旋转检偏器椭偏谱仪的研制及其应用[J]仪器仪表学报.1989,(04)
[10]徐士杰,罗晋生,陈敏麒.GaAs量子阱的能级分析[J]电子科学学刊.1993,(04)
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