张万荣
【姓名】 张万荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 化合物半导体器件的研究
【发表文献关键词】 基区,有效态密度,SiGe器件,渡越时间,重掺杂,载流子浓度,SiGe应变层,异质结双极晶体管（HBT）,缓变,本征,应变,异质结,双极晶体管,势垒,导带,价带,滚越时间,锗硅合金,p型Si,势垒效应...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】 西安
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[1]张万荣，曾峥，罗晋生.应变Si_（1－x）Ge_x层本征载流子浓度和有效态密度的温度特性分析[J]低温物理学报.1996,(04)
[2]张万荣，曾峥，罗晋生.Si／SiGe／Si双异质结晶体管异质结势垒效应（HBE）研究[J]电子学报.1996,(11)
[3]张万荣，曾峥，罗晋生.线性缓变SiGe　HBT低温基区滚越时间的研究[J]微电子学.1996,(03)
[4]吴文刚,张万荣,江德生,罗晋生.p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算[J]电子科学学刊.1996,(06)
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