余明斌
【姓名】 余明斌
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 锗硅合金,异质结,高频特性,基区,模拟与分析,椭圆偏振光谱仪,延迟时间,自动旋转,集电结,外延层,发射区,带隙,x值,电荷传输,电荷,截止频率,优化结构,英文,西安交通大学,发射结,电荷输运,工程系,...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】
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[1]林健，余明斌，曾峥，罗晋生.Si／SiGe　HBT高频特性的模拟与分析[J]固体电子学研究与进展.1994,(01)
[2]余明斌,罗晋生.用自动旋转椭圆偏振光谱仪测定Al_xGa_(1-x)As外延层的x值(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
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