王仲
【姓名】 王仲
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MESFET,短沟道,漂移扩散模型,速度过冲,稳态,非稳态效应,GaAs材料,数值分析,分立器件,短沟,沟道长度,载流子迁移率,器件性能,模型形式,亚微米,载流子,模型计算,数量级,电场,扩散系数,
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】
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[1]王仲,陈敏麒,罗晋生.短沟道GaAs MESFET的二维稳态数值分析[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
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