万长兴
【姓名】 万长兴
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】
【发表文献关键词】 1/f噪声,MOSFET,接触孔,氧化层陷阱,涨落,红外发光二极管,沟道,噪声特性,统一模型,半导体,输入电流,低频噪声,偏置电流,可靠性,噪声源,表面复合速率,载流子俘获,f噪声,点频,空间电荷区,...
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 西安
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/6 4 6 0 70 1376
中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]包军林;庄奕琪;杜磊;李伟华;马仲发;万长兴;.基于小波分析和虚拟仪器技术的1/f噪声研究[J]电子器件.2006,(02)
[2]马仲发,庄奕琪,杜磊,包军林,万长兴,李伟华.栅氧化层击穿的统一逾渗模型[J]西安电子科技大学学报.2004,(01)
[3]单霞,杜磊,万长兴,包军林.金属/半导体接触孔噪声特性研究[J]半导体技术.2005,(05)
[4]包军林,庄奕琪,杜磊,马仲发,李伟华,万长兴.GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究[J]电子器件.2005,(03)
[5]包军林,庄奕琪,杜磊,李伟华,万长兴,张萍.n/p沟道MOSFET1/f噪声的统一模型[J]物理学报.2005,(05)
[6]马仲发,庄奕琪,杜磊,薛丽君,万长兴,施超.1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础[J]西安电子科技大学学报.2002,(05)
更多