学者知网节

【姓名】	宁静
【职称】	副教授;
【研究领域】	无线电电子学;电力工业;金属学及金属工艺;
【研究方向】	新型半导体材料、器件及电路的研制
【发表文献关键词】	调查,流行,企业孵化器,内区,水痘,际贸易,社会支持网络,水痘流行,区际开放,区际差异,企业孵化,资源配置,中国区域,小学生,罹患率,区际贸易,孵化企业,中国西部,孵化器,西安市,东中西部,对策思路,...
【工作单位】	西安电子科技大学
【曾工作单位】	西安电子科技大学;
【所在地域】	陕西西安

中国期刊全文数据库 共找到29篇

[1]万紫嫣;张浩然;李霄;宁静;郝跃;张进成;.GaN高电子迁移率晶体管界面工程对高温与动态偏压可靠性提升的作用机制[J]物理学报.2026,(08)

[2]张子涵;吉新晨;宁静;王东;郝跃;张进成;.单层Ga_2O_3磁性隧道结中的高居里温度和完美的自旋过滤效应（英文）[J]Science China(Materials).2024,(10)

[3]陈丹妮;宁静;王东;王博宇;赵江林;张进成;郝跃;.氮掺杂单层石墨烯上无中间层沉积高质量氮化镓（英文）[J]Science China(Materials).2023,(05)

[4]王少青;程妮妮;王海安;贾一凡;陆芹;宁静;郝跃;刘祥泰;陈海峰;.Thickness effect on solar-blind photoelectric properties of ultrathin β-Ga_2O_3 films prepared by atomic layer deposition[J]Chinese Physics B.2023,(04)

[5]白玲;宁静;张进成;王东;王博宇;武海迪;赵江林;陶然;李忠辉;.多晶金刚石衬底范德瓦耳斯外延GaN薄膜[J]人工晶体学报.2023,(05)

[7]宁静;王彦博;陈丹妮;许晟睿;段小玲;.基于体区自适应偏置技术的5G基站射频开关研制[J]微型电脑应用.2021,(05)

[8]朱家铎;陈兴;尚蔚;宁静;王东;张进成;郝跃;.二维磁性VSe_2与过渡金属的范德华接触及其高性能自旋场效应晶体管研究（英文）[J]Science China(Materials).2021,(11)

[9]张璐;宁静;王东;沈雪;董建国;张进成;.AlGaN/GaN HEMT的恒压电应力退化研究[J]微电子学.2020,(02)

[10]王亚民;宁静;马续补;.基于社会化媒体的公共政策舆情预测研究[J]情报理论与实践.2019,(01)

中国博士学位论文全文数据库 共找到1篇

[1]宁静.2D/3D石墨烯的可控制备及储能应用研究[D].西安电子科技大学.2015

中国优秀硕士学位论文全文数据库 共找到5篇

[2]宁静.基于社会化媒体的公共政策舆情支持度预测研究[D].西安电子科技大学.2018

[3]宁静.基于生理与心理平台上的审美体验研究[D].西安电子科技大学.2009

[4]宁静.大企业化整为零的经营模式探讨[D].西安电子科技大学.2005

[5]宁静.综合网管中抽象代理及信息模型研究[D].西安电子科技大学.2002

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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