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李跃进
【姓名】
李跃进
【职称】
教授;
【研究领域】
无线电电子学;自动化技术;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】
微波多芯片组件设计与建模、集成化传感器及MEMS设计
【发表文献关键词】
压电薄膜,微传感器,有限元法,压电分析,微悬臂梁,电子回旋共振,等离子体刻蚀,锆钛酸铅,动态特性分析,凝胶-溶胶工艺,有限元分析,有限元分析软件,微开关,碳化硅,输出电压,压电材料,结构分析,功率器件...
【工作单位】
西安电子科技大学
【曾工作单位】
西安电子科技大学;
【所在地域】
西安
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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70
6
671
23378
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到94篇
[1]徐小波;张滨;杨银堂;李跃进;.
An Analytical Model of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors on SOI Substrate for Large Current Situations
[J]Chinese Physics Letters.2013,(02)
[2]卢启军;朱樟明;杨银堂;丁瑞雪;李跃进;.
Closed-form internal impedance model and characterization of mixed carbon nanotube bundles for three-dimensional integrated circuits
[J]Chinese Physics B.2018,(01)
[3]刘晓贤;朱樟明;杨银堂;丁瑞雪;李跃进;.
Parasitic effects of air-gap through-silicon vias in high-speed three-dimensional integrated circuits
[J]Chinese Physics B.2016,(11)
[4]张岩;董刚;杨银堂;李跃进;.
一种非均匀线型的互连线能量分布模型
[J]计算物理.2014,(01)
[5]张滨;杨银堂;李跃进;徐小波;.
SOI SiGe HBT电学性能研究
[J]物理学报.2012,(23)
[6]张滨;杨银堂;李跃进;.
利用噪声抵消技术设计低噪声放大器
[J]电路与系统学报.2013,(01)
[7]邢孟江;杨银堂;李跃进;.
小型化射频功率分配器
[J]西安电子科技大学学报.2011,(04)
[8]邢孟江;杨银堂;李跃进;许靖伟;.
带有直流偏置的毫米波单刀双掷开关仿真与设计
[J]微波学报.2011,(05)
[9]朱樟明;郝报田;恩云飞;杨银堂;李跃进;.
An interconnecting bus power optimization method combining interconnect wire spacing with wire ordering
[J]Chinese Physics B.2011,(06)
[10]张滨;杨银堂;李跃进;.
一种3.1~10.6GHz超宽带低噪声放大器设计
[J]微波学报.2012,(01)
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中国重要会议全文数据库
共找到2篇
[1]朱作云;李跃进;杨银堂;柴常春;贾护军;韩小亮;王文襄;刘秀娥;王麦广;.
SiC薄膜高温压力传感器
[A].2000全国力学量传感器及测试、计量学术交流会论文集.2000-07-01
[2]李跃进;朱作云;杨银堂;马晓华;陈锦杜;.
微机械加工硅电容式加速度传感器
[A].2000全国力学量传感器及测试、计量学术交流会论文集.2000-07-01
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合作过的学者
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西北电讯工程学院
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西安电子科技大学
1
刘上乾
西安电子科技大学
1
柴常春
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1
李筱濛
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