袁寿财
【姓名】 袁寿财
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 绝缘栅,双极晶体管,IGBT,场限环,元胞,VDMOS,半导,开关时间,辐照,IGBT特性,通导,金属氧化物半导体,伏安特性,外延层,双极型晶体管,开关特性,击穿电压,阈值,中子辐照,击穿特性,场效应...
【工作单位】 西安电力电子技术研究所
【曾工作单位】 西安电力电子技术研究所;
【所在地域】 西安
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[1]袁寿财,朱长纯.提高IGBT开关速度的技术[J]半导体技术.1999,(02)
[2]袁寿财，王晓宝，刘欣荣.850V／18A、1200V／8A　IGBT研制[J]半导体技术.1994,(05)
[3]袁寿财,王晓宝,刘欣荣.800V/10A和1200V/6A IGBT的研制[J]电力电子技术.1994,(01)
[4]袁寿财，王晓宝，刘玉书.800V／10A和1200V／6A绝缘栅双极晶体管的研制[J]微电子学与计算机.1994,(02)
[5]袁寿财.新型功率器件IGBT研制[J]半导体杂志.1996,(02)
[6]袁寿财.辐照对IGBT特性的影响[J]半导体杂志.1996,(03)
[7]袁寿财.新型功率器件IGBT研制[J]半导体技术.1997,(02)
[8]袁寿财.辐照对IGBT特性的影响[J]半导体技术.1997,(04)
[9]袁寿财.新型功率器件IGBT研制[J]电力电子技术.1997,(01)
[10]袁寿财.IGBT 特性的中子辐照效应[J]电力电子技术.1997,(02)
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