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【姓名】	林长贵
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】	共源共栅,Bi-CMOS,杂质分布,CMOS运算放大器,HSPICE-Ⅱ程序,铝栅P阱CMOS工艺,CMOS模拟乘法器,双极型晶体管,基区,再分布,分析与设计,输出驱动,健合,CMOS工艺,CMOS,...
【工作单位】	西安交通大学
【曾工作单位】	西安交通大学;
【所在地域】	陕西西安

中国期刊全文数据库 共找到11篇

[1]林长贵，李同合.半导体参数自动测量和提取中GPIB与IBMPC接口技术[J]微电子学与计算机.1994,(02)

[2]邵志标,向凌顶,林长贵,朱秉升.IC设计中晶体管直流模型参数的提取[J]西安交通大学学报.1997,(01)

[3]林长贵,卢林,罗晋生.单片集成低通CMOS开关电容滤波器的机助设计与研制[J]微电子学与计算机.1987,(11)

[4]林长贵,黄宗林,孙正地.Bi-CMOS双极型晶体管的研制[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)

[5]林长贵,罗晋生.共源共栅CMOS运算放大器的分析与设计[J]微电子学.1990,(04)

[6]林长贵,王则如,黄宗林.离子注入掺杂热再分布的理论分析[J]半导体技术.1991,(02)

[7]林长贵,郭砺志,罗晋生.CMOS四象限乘法器的精确设计[J]微电子学.1991,(02)

[8]林长贵,王则如,黄宗林.离子注入掺杂热再分布的分析计算[J]微电子学与计算机.1991,(01)

[9]林长贵,汪玲,罗晋生.双极晶体管整体直流模型的参数优化提取[J]微电子学与计算机.1991,(12)

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