黄宗林
【姓名】 黄宗林
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 杂质分布,Bi-CMOS,再分布,双极型晶体管,离子注入掺杂,基区,离子注入,CMOS工艺,电流增益,发射区,杂质,晶体管,双极器件,集电区,热过程,再分布过程,理论分析,横向基,高斯分布,双极型,兼...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】
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[1]林长贵,黄宗林,孙正地.Bi-CMOS双极型晶体管的研制[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
[2]林长贵,王则如,黄宗林.离子注入掺杂热再分布的理论分析[J]半导体技术.1991,(02)
[3]林长贵,王则如,黄宗林.离子注入掺杂热再分布的分析计算[J]微电子学与计算机.1991,(01)
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