胡蓉香
【姓名】 胡蓉香
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 击穿,MOS场效应晶体管,功率晶体管,VDMOS,漏压,优化分析,典型参数,二维数值模拟,数值模拟,外延层,击穿区,强场,电子浓度,功率器件,场特性,产生率,击穿电压,击穿过程,空穴电流,饱和区,
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】 西安
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[1]刘晓梅,胡蓉香,罗晋生,李中江.VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析[J]电子科学学刊.1991,(06)
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