方培生
【姓名】 方培生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 化学敏感,半导体器件,中性载体,敏感晶体,源电流,绝缘栅,ISFET,敏感机理,离子敏感,Si_3N_4,玻璃电极,活性物质,温度敏感器,氢离子,敏感器件,漏电流,微型,界面电位差,铬离子,pH值,甘...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】
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[1]方培生,黄强,田守礼.化学敏感半导体器件的研制[J]半导体技术.1981,(06)
[2]方培生,黄强.氢离子敏感半导体器件的研制[J]西安交通大学学报.1982,(01)
[3]方培生.Si_3N_4/SiO_2绝缘栅氢离子敏感晶体管研制及敏感机理的分析[J]半导体技术.1983,(03)
[4]方培生;黄强;.中性载体为活性物质的PVC膜K~+-ISFET及其敏感机理分析[J]西安交通大学学报.1984,(06)
[5]黄强;方培生;.钾离子敏感半导体器件的研制[J]化学学报.1984,(02)
[6]方培生;刘润民;崔吾元;.以PVF_2为敏感膜的声学敏感器件[J]仪表材料.1986,(01)
[7]方培生,黄强,何益新,崔吾元,丰达明.铬[Vl]离子敏感半导体器件的研究[J]传感器技术.1987,(Z1)
[8]柴志勤,方培生,罗晋生.中性载体为活性物质的PVC膜Na~+-ISFET[J]科学通报.1987,(02)
[9]方培生.以缬氨霉素为活性物质的微型钾离子敏感器件的研究[J]西安交通大学学报.1987,(03)
[10]方培生,黄顺恩,周继东.微型钾离子敏感器件的理论研究[J]半导体技术.1988,(03)
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