宋建军
【姓名】 宋建军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 硅基应变材料与器件的研究
【发表文献关键词】 电子技术,氧化锌压敏电阻器,化学共沉淀,复合添加剂,通流能力,应变Si,应力引入,衬底致双轴应变,工艺致单轴应变,摩尔定律,新材料,器件性能,应变技术,应力线,微观结构,应用前景,迁移率,逻辑技术,张...
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 西安
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/156 52 49 18 387 9348
中国期刊全文数据库    共找到65篇
[1]宋建军;唐艾兰;刘伟峰;.半导体物理中各类接触的能带弯曲统一判断方法[J]大学物理.2024,(10)
[2]张栋;宋建军;薛笑欢;张士琦;.A high rectification efficiency Si_(0.14)Ge_(0.72)Sn_(0.14)–Ge_(0.82)Sn_(0.18)–Ge quantum structure n-MOSFET for 2.45 GHz weak energy microwave wireless energy transmission[J]Chinese Physics B.2022,(06)
[3]毕思涵;宋建军;张栋;张士琦;.2.45 GHz微波无线能量传输用Ge基双通道整流单端肖特基势垒场效应晶体管[J]物理学报.2022,(20)
[4]宋建军;张龙强;陈雷;周亮;孙雷;兰军峰;习楚浩;李家豪;.基于晶向优化和Sn合金化技术的一种2.45G弱能量微波无线输能用Ge基肖特基二极管[J]物理学报.2021,(10)
[5]李妤晨;陈航宇;宋建军;.用于提高微波无线能量传输系统接收端能量转换效率的肖特基二极管[J]物理学报.2020,(10)
[6]苗渊浩;胡辉勇;宋建军;宣荣喜;张鹤鸣;.Effects of rapid thermal annealing on crystallinity and Sn surface segregation of Ge_(1-x)Sn_x films on Si(100) and Si(111)[J]Chinese Physics B.2017,(12)
[7]苗渊浩;胡辉勇;李鑫;宋建军;宣荣喜;张鹤鸣;.Evaluation of threading dislocation density of strained Ge epitaxial layer by high resolution x-ray diffraction[J]Chinese Physics B.2017,(12)
[8]底琳佳;戴显英;宋建军;苗东铭;赵天龙;吴淑静;郝跃;.基于锡组分和双轴张应力调控的临界带隙应变Ge_(1-x)Sn_x能带特性与迁移率计算[J]物理学报.2018,(02)
[9]陈航宇;宋建军;张洁;胡辉勇;张鹤鸣;.小尺寸单轴应变Si PMOS沟道晶面/晶向选择实验新发现[J]物理学报.2018,(06)
[10]杨雯;宋建军;任远;张鹤鸣;.光器件应用改性Ge的能带结构模型[J]物理学报.2018,(19)
更多
中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]宋建军.Si基应变材料能带结构研究[D].西安电子科技大学.2008
更多
中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]张志锋;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜;宋建军;.应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
更多