冯辉
【姓名】 冯辉
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;电力工业;
【研究方向】 微波功率放大器和微电子器件方面的研究
【发表文献关键词】 LDMOS,击穿电压,RESURF,漏区边界曲率半径,导通电阻,电容特性,ISE,喙栅结构,漂移区,漂移区长度,射频,沟道区,栅漏,表面掺杂浓度,二维器件模拟,主要因素,氧化层厚度,工艺参数,截止频率...
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 西安
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