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柴常春
【姓名】
柴常春
【职称】
教授;
【研究领域】
无线电电子学;电力工业;物理学;
【研究方向】
VLSI与可靠性技术、新型半导体器件与材料
【发表文献关键词】
多芯片组件,布局布线,碳化硅,数字显示电路,电磁干扰,功率器件,界面态密度,复合栅介质,高速电路,刻蚀速率,感应耦合等离子体,特性仿真,信号传输,栅氧化层,欧姆接触特性,离子注入,传输线法,a-C∶F...
【工作单位】
西安电子科技大学
【曾工作单位】
西安电子科技大学;
【所在地域】
西安
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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/
158
84
110
12
851
23523
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到126篇
[1]王蕾;柴常春;赵天龙;李福星;秦英朔;杨银堂;.
p-GaN HEMT强电磁脉冲损伤效应与防护设计研究
[J]西安电子科技大学学报.2023,(06)
[2]毛心怡;柴常春;李福星;林浩东;赵天龙;杨银堂;.
快上升前沿电磁脉冲下片上静电放电防护电路的效应与机理(英文)
[J]强激光与粒子束.2024,(10)
[3]梁其帅;柴常春;吴涵;李福星;刘彧千;杨银堂;.
CMOS反相器的快上升沿强电磁脉冲损伤特性(英文)
[J]强激光与粒子束.2022,(08)
[4]安琪;柴常春;李福星;吴涵;杨银堂;.
GaAs基PHEMT低噪声放大器的强电磁脉冲效应与机理
[J]现代应用物理.2022,(03)
[5]孙毅;柴常春;刘彧千;李福星;杨银堂;.
电磁脉冲对CMOS与非门的干扰和损伤效应与机理(英文)
[J]强激光与粒子束.2021,(10)
[6]李奇威;孙静;李福星;柴常春;丁君;方进勇;.
C band microwave damage characteristics of pseudomorphic high electron mobility transistor
[J]Chinese Physics B.2021,(09)
[7]徐婷婷;柴常春;王艳秀;刘彧千;.
AOT控制的降压型转换器的稳定性分析
[J]微电子学.2019,(06)
[8]姜婵荣;柴常春;韩晨曦;.
一种增强BOOST转换器抗干扰能力的电路设计
[J]西安邮电大学学报.2019,(05)
[9]安宁;柴常春;刘彧千;.
HEMT器件电磁脉冲毁伤机理仿真分析及试验研究
[J]航空兵器.2020,(03)
[10]王乾坤;柴常春;樊庆扬;杨银堂;.
Physical Properties of C-Si Alloys in C2/m Structure
[J]Communications in Theoretical Physics.2017,(08)
更多
中国博士学位论文全文数据库
共找到1篇
[1]柴常春.
微波低噪声放大器毁伤机理研究和SiC薄膜的外延生长与刻蚀技术研究
[D].西安电子科技大学.2005
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中国重要会议全文数据库
共找到1篇
[1]朱作云;李跃进;杨银堂;柴常春;贾护军;韩小亮;王文襄;刘秀娥;王麦广;.
SiC薄膜高温压力传感器
[A].2000全国力学量传感器及测试、计量学术交流会论文集.2000-07-01
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承担国家科研项目及科技成果产出
承担国家科研项目
共找到1个
[1]柴常春;.
半导体器件与电路的“响应型”损伤机理与实验研究
[A].西安电子科技大学;.项目经费 30万元.2007-03-31.资助文献数
5
篇
更多
研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
魏顺宇
北京工业大学
董伟
电子科技大学
黄晋生
河北半导体研究所
刘晓巍
湖南大学
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湖南大学
付国春
上海交通大学
薛志勇
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马涛
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西安电子科技大学
来金梅
上海交通大学
方次尹
中国航空工业第一集团北京航空...
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合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
杨银堂
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6
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3
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西安电子科技大学
3
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1
汪家友
西安电子科技大学
1
吴振宇
西安电子科技大学
1
马涛
西安电子科技大学
1
畅艺峰
西安电子科技大学
2
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该学者文献引用过的学者
(学者,学者单位,篇数)
王阳元
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5
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5
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3
林哲辉
中国人民解放军国防科学技...
3
张磊
中国人民解放军国防科学技...
3
雷震
中国人民解放军国防科学技...
3
李宝清
中国科学院上海冶金研究所
1
潘永刚
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1
林梓辛
中国科学院上海冶金研究所
1
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1
张晓青
同济大学
1
张冶文
同济大学
1
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