刘欣荣
【姓名】 刘欣荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 IGBT,VDMOS,场限环,研制,元胞,结终端技术,电力半导体器件,导通电阻,外延层,击穿电压,电性能参数,电力电子,图形,芯片,耐压,终端保护,击穿特性,导通压降,外延材料,小器件,高压集成电路,...
【工作单位】 西安电力电子技术研究所
【曾工作单位】 西安电力电子技术研究所;
【所在地域】
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[1]袁寿财，王晓宝，刘欣荣.850V／18A、1200V／8A　IGBT研制[J]半导体技术.1994,(05)
[2]袁寿财,王晓宝,刘欣荣.800V/10A和1200V/6A IGBT的研制[J]电力电子技术.1994,(01)
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