鄢和平
【姓名】 鄢和平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 1/f噪声,太阳电池,隧道模型,MOS器件,热激发,缺陷,辐照效应,双态,γ辐照,正电子寿命,电荷态,光电器件,辐照,系统理论,硅,中子嬗变掺杂,非电离能量损失,GaAs太阳电池,弱反型,温度因子,质...
【工作单位】 武汉大学
【曾工作单位】 武汉大学;
【所在地域】 武汉
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[1]施小忠，李世清，鄢和平，丁棣华.GaAs太阳电池辐照效应的研究现状[J]半导体光电.1995,(04)
[2]马莉,李世清,陈志权,胡新文,鄢和平.γ辐照InP的正电子湮没研究[J]武汉大学学报(自然科学版).1996,(01)
[3]陈晔,李世清,鄢和平,王仁卉.背电场硅太阳能电池离子辐照效应[J]半导体光电.1997,(01)
[4]易正亮,鄢和平,李世清.GaAs的中子嬗变掺杂[J]半导体光电.1997,(03)
[5]高繁荣,陈炳若,李世清,鄢和平.硅光电二极管快中子和氧离子的辐照效应[J]半导体光电.1998,(02)
[6]易正亮,鄢和平,李世清.磷化铟材料的中子嬗变掺杂[J]半导体光电.1998,(03)
[7]陈炳若，李世清，鄢和平，高繁荣.硅光电器件两种辐照效应的比较[J]核技术.1998,(01)
[8]陈晔,鄢和平,李世清.BSF硅太阳电池重离子辐照的深能级瞬态谱[J]武汉大学学报(自然科学版).1998,(01)
[9]方志豪,朱秋萍,黄银彪,鄢和平.MOS器件1/f噪声的双态系统理论──隧道模型与热激发模型的比较[J]半导体学报.1993,(09)
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