任小明
【姓名】 任小明
【职称】
【研究领域】 化学;无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 二硫纶,配合物,溶剂参数,光电导,荷移跃迁,跃迁,TG和DTA,掺杂CdS,过渡金属,配体,光敏性,溶解性,溶剂性质,二氰基,邻菲咯啉,光谱带,光氧化反应,溶剂,EPR谱,配位方式,电子吸收和发射光谱...
【工作单位】 武汉大学
【曾工作单位】 武汉大学;
【所在地域】 武汉
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[1]甘雄,谢音,任小明,沈玉芳,彭正合,周运鸿.马来腈二硫纶·邻菲咯啉镍(II)配合物的电子光谱和理论研究[J]化学学报.2005,(14)
[2]潘庆才,彭正合,任小明,杨丽芬,秦子斌.二氰基二硫纶和邻菲咯啉二酮镍(II)、铜(II)、锌(II)配合物的电子光谱及分子内荷移跃迁[J]化学通报.2000,(12)
[3]潘庆才，任小明，彭正合，秦子斌.二氰基二硫纶·邻菲咯啉合钴（Ⅱ）掺杂CdS的光电导和光敏性研究[J]功能材料.1996,(01)
[4]彭正合,徐洪,王守兴,房晨婕,任小明,秦子斌.二硫纶联吡啶过渡金属配合物的红外光谱与配位方式[J]武汉大学学报(自然科学版).1996,(06)
[5]任小明，彭正合，秦子斌.溶剂性质对配合物M（mnt）（phen）荷移光谱带的影响[J]安庆师范学院学报(自然科学版).1996,(03)
[6]任小明，彭正合，秦子斌.过渡金属配合物M（mnt）（phen）性质研究[J]安庆师范学院学报(自然科学版).1996,(04)
[7]任小明,彭正合,秦子斌.过渡金属配合物M(mnt)(phen)光氧化反应[J]安庆师范学院学报(自然科学版).1997,(01)
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