孟宪权
【姓名】 孟宪权
【职称】 教授;
【研究领域】 物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 光电纳米材料器件的研究
【发表文献关键词】 环形磁控溅射,潘宁离子源,生长速率,离子加速器,β－C3N4,膜厚均匀,离子束分析,溅射成膜,厚度均匀性,溅射,磁控,冷阴极,高温超导,离子注入,加速器,辐照,薄膜,离化簇团束,锐钛矿,武汉大学学报（...
【工作单位】 武汉大学
【曾工作单位】 武汉大学;
【所在地域】 湖北武汉
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中国期刊全文数据库    共找到24篇
[1]薛霏;孟宪权;刘义鹤;.CdSe与CdSe/ZnS量子点合成及稀土掺杂[J]功能材料.2014,(01)
[2]万想;孟宪权;刘义鹤;.化学气相沉积法制备GaN纳米线及其形貌结构和生长机理研究[J]功能材料.2014,(02)
[3]孟宪权;张观明;.“电子材料”课程的教学改革[J]电气电子教学学报.2013,(05)
[4]吴剑;吕雪芹;金鹏;孟宪权;王占国;.Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device[J]Chinese Physics B.2011,(06)
[5]朱迪;郑毅;张霞;孟宪权;.水热法在不同衬底下制备纳米ZnO材料[J]武汉大学学报(理学版).2009,(02)
[6]孟宪权;肖虎;朱振华;.离子注入制备Si基GaSb量子点[J]武汉大学学报(理学版).2009,(04)
[7]张霞;胡明;孟宪权;.制备工艺对多孔阳极氧化铝特性的影响[J]武汉大学学报(理学版).2009,(05)
[8]郑毅;孟宪权;刘文军;胡明;.不同衬底上氧化锌纳米结构的水热法制备研究[J]功能材料.2009,(09)
[9]夏威;孟宪权;刘文军;朱振华;.ZnO单晶材料不同温度下光致发光性能研究[J]大众科技.2010,(05)
[10]朱振华;孟宪权;肖虎;.离子注入制备Si基InAs量子点[J]大众科技.2010,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]张志宏;范湘军;郭怀喜;孟宪权;叶明生;付强;杨业智;莫少波;.中空阴极磁控溅射法制备氮化碳薄膜的光电子能谱及红外光谱研究[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]孟宪权;.离子注入制备硅基III - V 族半导体量子点及其光电特性研究[A].武汉大学;.项目经费 36万元.2007-03-31.资助文献数 0 篇
[2]孟宪权;.非致冷正入射吸收量子点中、远红外探测器[A].武汉大学;.项目经费 8万元.2006-03-27.资助文献数 2 篇
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