龙理
【姓名】 龙理
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 光致负阻特性,间接耦合光电探测结构,光敏三极管,注入光敏器件,施主态,Si单晶,输出三极管,基区,光致负阻,间隙氧,p型,退火处理,电阻率,耦合区,谷电流,含氮,光强,合区,光电流,PN结,峰电流,三...
【工作单位】 武汉大学
【曾工作单位】 武汉大学;
【所在地域】 武汉
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[1]何民才，黄启俊，陈炳若，龙理，陈畅生，戴锋，池桂梅.注入光敏三极管的基本特性和分析[J]半导体学报.1994,(09)
[2]何民才，黄启俊，龙理，陈畅生.注入光敏器件是一种新型的光电探测器[J]固体电子学研究与进展.1995,(04)
[3]何民才,钟哲,陈炳若,黄启俊,陈畅生,龙理,杨恢东,蔡本兰.间接耦合光电探测结构的光致负阻特性[J]半导体学报.1991,(10)
[4]何民才;龙理;黄启俊;陈炳若;陈畅生;.内调制光敏管物理特性的进一步研究[J]武汉大学学报(自然科学版).1992,(02)
[5]陈畅生,曾繁清,曾瑞,陈炳若,龙理,何民才,张锦心,李立本.p型含氮CZ—Si单晶的退火性质[J]半导体学报.1993,(01)
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