陈畅生
【姓名】 陈畅生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧沉淀,代位式,局域模,锗单晶,硅中氧,红外吸收,杂质,热沉,施主态,吸除,氧原子,吸收系数,成核,组态,光致负阻特性,间接耦合光电探测结构,红外,载流子浓度,吸杂,均匀成核,电荷模型,热扩散,填隙氧...
【工作单位】 武汉大学
【曾工作单位】 武汉大学;
【所在地域】 武汉
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[1]何民才，黄启俊，陈炳若，龙理，陈畅生，戴锋，池桂梅.注入光敏三极管的基本特性和分析[J]半导体学报.1994,(09)
[2]何民才，黄启俊，龙理，陈畅生.注入光敏器件是一种新型的光电探测器[J]固体电子学研究与进展.1995,(04)
[3]陈畅生,张哲华,叶亦英.代位式碳在硅单晶中的局域模与红外吸收[J]半导体学报.1983,(01)
[4]叶亦英,陈畅生,张哲华.硅、锗单晶中Ⅳ族代位式杂质产生的局域模与红外吸收[J]半导体学报.1984,(01)
[5]陈畅生,龚茂枝.代位金属原子在含吸杂源硅中的扩散(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[6]陈畅生,熊传铭.硅中氧的热沉淀(上)[J]稀有金属.1989,(04)
[7]陈畅生,熊传铭.硅中氧的热沉淀(下)[J]稀有金属.1989,(05)
[8]陈畅生,曾繁清,熊传铭,沈学础.硅中氧的结构组态及热扩散行为[J]半导体学报.1991,(08)
[9]何民才,钟哲,陈炳若,黄启俊,陈畅生,龙理,杨恢东,蔡本兰.间接耦合光电探测结构的光致负阻特性[J]半导体学报.1991,(10)
[10]陈畅生;.吸除方程组的变换变量法求解[J]武汉大学学报(自然科学版).1991,(01)
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